Dit is het eerste boek dat de vele facetten van doping in samengestelde halfgeleiders grondig beschrijft. Evenveel nadruk wordt gelegd op de fundamentele materiaalfysica en op de technologische aspecten van doping. De auteur beschrijft in detail alle verschillende technieken, waaronder doping tijdens epitaxiale groei, doping door implantatie en doping door diffusie. De belangrijkste kenmerken van alle dopants die zijn gebruikt in IIIâV halfgeleiders worden besproken. Daarnaast worden algemene kenmerken van dopants geanalyseerd, waaronder de elektrische activiteit, verzadiging, amfoteriiteit, autocompensatie en maximaal haalbare dopantconcentratie. Het actuele onderwerp van sterk gedopeerde halfgeleiders wordt ook besproken. Technologisch belangrijke diepe niveaus worden samengevat. De eigenschappen van diepe niveaus worden fenomenologisch gepresenteerd. Het laatste hoofdstuk is gewijd aan de experimentele karakterisering van onzuiverheden. Taal: Engels